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Job number: JN -072026-207553 Posted: 2026-07-22

次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析

年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり
7 - 10 million yen Kyoto Industrial Research & Development

Job details

Company overview
Our client is conducting research and development of power semiconductors.
Responsibilities
▼職務内容SiC/GaNパワーデバイスの信頼性評価・品質保証業務をご担当いただきます。【具体的には】
  • 各種信頼性試験(高温動作試験、温度サイクル試験、寿命試験等)の計画・実施
  • AEC-Q101、JEDEC等の規格に基づく評価・解析
  • 故障解析(FA)および不良メカニズムの究明
  • 評価データの分析および品質改善活動
  • ファウンドリーや外部機関との技術連携
  • 品質レポート作成、顧客対応
  • 量産立上げに向けた品質基準の構築・運用

▼開発製品Wide Band Gap Power Devices
  • SiC
  • GaN など
当社の技術は海外自動車メーカーのEVやEV充電設備にも採用されています。今後はさらなる量産化とグローバル展開を進めていきます。

▼その他
  • 年間休日数:124日
  • 専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み
  • 従業員専用駐車場あり(会社負担)
  • 転居費用負担制度あり

Requirements
■必須条件:以下いずれかのご経験がある方
  • パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験
  • ファウウンドリーでのデバイス試作経験
  • デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用経験
  • パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
  • 半導体デバイスの信頼性評価技術の実務経験


  • Salary
    7 - 10 million yen
    Location
    Kyoto
    Hirohito Ezawa
    BRS Consultant
    Hirohito Ezawa
    Industrial

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