次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析

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募集要項

会社概要

同社は、パワー半導体の研究開発を行っています。

業務内容

▼職務内容SiC/GaNパワーデバイスの信頼性評価・品質保証業務をご担当いただきます。【具体的には】

• 各種信頼性試験（高温動作試験、温度サイクル試験、寿命試験等）の計画・実施
• AEC-Q101、JEDEC等の規格に基づく評価・解析
• 故障解析（FA）および不良メカニズムの究明
• 評価データの分析および品質改善活動
• ファウンドリーや外部機関との技術連携
• 品質レポート作成、顧客対応
• 量産立上げに向けた品質基準の構築・運用

▼開発製品Wide Band Gap Power Devices

• SiC
• GaN など

当社の技術は海外自動車メーカーのEVやEV充電設備にも採用されています。今後はさらなる量産化とグローバル展開を進めていきます。

▼その他

• 年間休日数：124日
• 専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み
• 従業員専用駐車場あり（会社負担）
• 転居費用負担制度あり

応募条件

■必須条件：以下いずれかのご経験がある方

パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験

ファウウンドリーでのデバイス試作経験

デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験

パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験

半導体デバイスの信頼性評価技術の実務経験

給与

700 - 1000 万円

勤務地

京都