Job number: JN -072024-134147 Posted: 2024-09-11

パワー半導体(IGBT、Diode)のチップ設計

Professional Device Development Firm
6 - 9 million yen Saitama Industrial Electrical Engineer

Job details

Company overview
Responsibilities
  • 対象製品:パワーデバイス (MOSFET、IGBT/FRD)
  • IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア
  • 主担当業務:パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発
Requirements
  • MOSFET、IGBT、Diode等のパワーデバイス開発経験
Salary
6 - 9 million yen
Location
Saitama
Yuya Migita
BRS Consultant
Yuya Migita
Electronics
Email me directly

Recommended jobs