BRS Consultant
Yuya Migita
Electronics
Job number: JN -072024-134147
Posted: 2024-09-11
パワー半導体(IGBT、Diode)のチップ設計
Professional Device Development Firm
6 - 9 million yen
Saitama
Industrial
Electrical Engineer
Job details
- Company overview
- Responsibilities
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- 対象製品：パワーデバイス （MOSFET、IGBT/FRD）
- IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア
- 主担当業務：パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発
- Requirements
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- MOSFET、IGBT、Diode等のパワーデバイス開発経験
- Salary
- 6 - 9 million yen
- Location
- Saitama