BRSコンサルタント
Yuya Migita
Electronics
求人番号：JN -072024-134147
掲載日：2024-09-11
パワー半導体(IGBT、Diode)のチップ設計
Professional Device Development Firm
600 - 900 万円
埼玉
製造（電子 / 電気 / 機械）
電気・電子エンジニア
募集要項
- 会社概要
- 業務内容
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- 対象製品：パワーデバイス （MOSFET、IGBT/FRD）
- IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア
- 主担当業務：パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発
- 応募条件
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- MOSFET、IGBT、Diode等のパワーデバイス開発経験
- 給与
- 600 - 900 万円
- 勤務地
- 埼玉