求人番号:JN -072024-134147 掲載日:2024-09-11

パワー半導体(IGBT、Diode)のチップ設計

Professional Device Development Firm
600 - 900 万円 埼玉 製造(電子 / 電気 / 機械) 電気・電子エンジニア

募集要項

会社概要
業務内容
  • 対象製品:パワーデバイス (MOSFET、IGBT/FRD)
  • IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア
  • 主担当業務:パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発
応募条件
  • MOSFET、IGBT、Diode等のパワーデバイス開発経験
給与
600 - 900 万円
勤務地
埼玉
Yuya Migita
BRSコンサルタント
Yuya Migita
Electronics
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