【茨城県ひたちなか市】ウエハプロセス技術エンジニア（ドライエッチング）～プライム上場～

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募集要項

会社概要

同社は半導体メーカーです。

業務内容

■業務概要：

• 担当技術分野…ドライエッチング技術
• 対象デバイス…150mm～200mm（SiCパワーデバイス）

■職務詳細：

• SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発（装置選定導入/エッチング条件構築）
• Siデバイス向けドライエッチング技術開発（装置選定導入エッチング条件構築等）
• 生産技術開発（生産性改善・歩留まり向上・コストダウン及びBCM推進等）

■働き方：

• 年間休日は125日ありコアタイムのないフレックス制度など、ライフスタイルに合わせた働き方ができます。
• また年次有給休暇、在宅勤務制度等の日常生活のサポートに加え、将来の備えとしての資産形成を補助する、財形貯蓄、持ち株会制度も整っています。

応募条件

■必須条件：

• ドライエッチングプロセス開発・改善業務の経験を有する方

■歓迎条件：

• SiCパワーデバイスのドライエッチング（特にトレンチ形成）における使用設備の導入/評価やプロセス構築経験を有する方
• 4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること

給与

700 - 800 万円

勤務地

その他