化合物半導体材料成長技術エキスパート

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募集要項

会社概要

同社は幅広いICT製品およびサービスを提供している大手ICTソリューションプロバイダーです。通信機器やコンピュータネットワーク、クラウドサービスなど一般消費者向けのサービスから通信事業者や企業向けのソリューションも提供しています。

業務内容

• SiC/GaN/Ga2O3など、化合物半導体材料成長技術の研究開発、材料成長の熱設計と成長プロセス開発、材料欠陥制御と品質向上を担当していただきます。
• 化合物半導体材料の成長分野におけるキーテクノロジーのブレークスルーや先端技術の事前研究を担当し、製品競争力の優位性を保つことに貢献していただきます。

応募条件

• 材料科学/物理学/化学、半導体物理学、固体物理学、運動エネルギー学の関連分野を専攻し、最低8年以上の半導体単結晶材料関連の研究開発経験を有する方。
• 半導体結晶材料の成長原理と基礎知識に精通し、一つまたは複数の化合物半導体材料(SiC/GaN/Ga2O3/AlNなど)の成長技術(PVT法/溶液法/HVPE法など）に関する知見。マルチフィジカルフィールドシミュレーションツールを用いて、熱設計とプロセスパラメータの最適化に精通していること。豊富な技術研究と製品開発の経験、業界トップクラスの競争力を持つ複数の基板材料製品の開発経験。
• 単結晶材料の様々な欠陥とメカニズムを深く理解し、欠陥抑制技術に精通している。

好ましい条件:

• 優れた学習能力、問題解決能力、コミュニケーション能力、職業倫理及びチームワーク精神

給与

800 - 1500 万円

勤務地

東京