RF Device Process Expert

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募集要項

会社概要

同社は幅広いICT製品およびサービスを提供している大手ICTソリューションプロバイダーです。通信機器やコンピュータネットワーク、クラウドサービスなど一般消費者向けのサービスから通信事業者や企業向けのソリューションも提供しています。

業務内容

• GaN/SiC RFデバイスのデバイスプロセス研究開発及びプロセス導入等を担当し、プロセスと材料の潜在リスクを特定し、解決策を講じる。
• デザインチームと連携をとり、デバイスの構造デザインと要求に基づいて、プロセスのリスク評価と加工の実行を担当し、プロセスの角度からデバイス性能の最適化案を出す。
• 先進プロセスを新製品への導入、製品の量産目標の達成を主導する。

応募条件

• 半導体、物理、材料、電子等の関連分野を専攻し、8年以上のGaN RFデバイスプロセス開発など関連の経験を持つ方。
• GaN/SiC RFデバイスのプロセス開発経験を持ち、半導体デバイスの原理を深く理解し、RFにおける半導体デバイスのアプリケーションに精通している。
• 半導体デバイスの信頼性、マルチフィジックスシミュレーション等の経験があれば尚可。
• 優れたコミュニケーション能力及びコーディネート力を持ち、協調性があり、中国チームと良好なコミュニケーションがとれる方。

給与

800 - 1500 万円

勤務地

横浜