RF Device Design Expert

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募集要項

会社概要

同社は幅広いICT製品およびサービスを提供している大手ICTソリューションプロバイダーです。通信機器やコンピュータネットワーク、クラウドサービスなど一般消費者向けのサービスから通信事業者や企業向けのソリューションも提供しています。

業務内容

• GaN/SiC RFデバイスデザイン/モデリング、回路アプリケーション、デバイスの信頼性と失効解析を担当する。
• プロジェクトマネージャーに協力し、新製品の導入、量産目標の達成を助力する。
• カスタマイズデバイスの重要性能のスペック制定及び測定評価を担当し、デバイスシミュレーションとモデルの関連問題を解決する。
• GaN/SiC RFデバイスの先進技術のプレリサーチと技術路線を主導し、本社と連携して技術ロードマップを制定し、持続的な技術ブレイクスルーによって、鉄壁の技術を実現する。

応募条件

• 半導体、物理、材料、電子等の関連分野を専攻し、8年以上の半導体デバイスデザイン関連の経験を持つ方。
• GaN/SiC RFデバイスの開発経験を持ち、半導体デバイスの原理を深く理解し、RFにおける半導体デバイスのアプリケーションに精通していること。
• 一つまたは複数のプロセスプラットフォームのモデル抽出に優れたスキルをお持ちで、デバイスの特性評価テストに精通していること。
• 半導体デバイスの信頼性、デバイスモデル、PDK等の経験があれば尚可。
• 優れたコミュニケーション能力及びコーディネート力を持ち、協調性があり、中国チームと良好なコミュニケーションがとれる方。

給与

900 - 1500 万円

勤務地

東京