開発エンジニア

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募集要項

会社概要

同社は、世界有数のフラッシュメモリ専業メーカーです。発明したフラッシュメモリは、電源が切れてもデータが消えない不揮発性半導体メモリであり、大容量のデータ保存が可能です。スマートフォンでの写真や動画保存、電子機器やデータセンターなどで広く利用されています。IoT、AI、5Gの普及により増加するデータに対応するため、大容量・高性能のストレージと高速データ処理システムが不可欠です。同社はフラッシュメモリとSSDのリーディングカンパニーとして、新たな価値を提供する製品やサービスを展開しています。多様な専門性を持つエンジニアが次世代の記録技術を追求し、企業や組織と協力したオープンイノベーションも推進しています。世界最大級のフラッシュメモリ工場を持ち、AIを活用したスマートファクトリーで高い生産力と効率を実現し、増加するメモリ需要に応えています。

業務内容

• 次世代フラッシュメモリの開発部署において、製品に求められるデバイス構造や回路パターン仕様を標準化し、レイアウトルールやプロセス設計ルールを構築します。
• 競争力のあるフラッシュメモリ製品を生み出す最適なルールとするため、計画する製品のアーキテクチャ、プロセス、レイアウト設計や品質に関する情報を集めて多角的に検討し、複数の部門の間に立って要望と制約を整理し、整合点を決定します。
• ルールは製品設計の基礎になり、製品の歩留や品質に直結します。

業務詳細：

• 加工形状や仕上がり形状、電気特性のデータ等を基にしたレイアウト成立性の計算、および計算精度向上の検討
• 前項に基づいた次世代製品の製品構造やレイアウト検討、レイアウトルールの構築
• デバイスの電気特性・信頼性評価、データ解析
• 製品開発関連部門との議論・整合

応募条件

必須条件：

• 半導体関連分野での実務経験（3年以上）（例：プロセスインテグレーション、デバイス開発・評価、レイアウト設計、製品開発など）
• 他部門（プロセス、設計、品質等）との技術的な調整・合意形成の実務経験
• 英語の技術文書（仕様書・国際学会論文等）の読解、およびメールやチャットでのテキストコミュニケーションができる方

語学 ：

• 英語：中級

給与

550 - 1260 万円

勤務地

三重