半導体レーザ開発業務

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募集要項

会社概要

同社は自動車、情報通信、エレクトロニクス、電線・機材・エネルギー、産業素材の5つの分野がそれぞれグローバルな事業活動を展開しております。

業務内容

職務内容：

• 半導体レーザ（主にDFBレーザ）および半導体光アンプの構造設計、評価、結晶成長、プロセス技術開発

具体的にお任せする業務：

• 顧客要求に基づいた半導体レーザの構造設計、プロセス技術開発の他、開発業務に付随する他部門との試作や評価の調整、将来に向けた要素技術開発

※グループ会社への在籍出向案件です

応募条件

必須条件：

• 半導体レーザ設計従事経験
• 半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験
• 光変調器、光パッシブデバイス開発従事経験

歓迎条件：

• 化合物半導体デバイスの設計およびプロセス技術開発の経験
• 高周波回路設計の経験
• 半導体デバイスの信頼性評価の経験
• データ分析による半導体デバイス不良解析の経験
• 半導体デバイス評価装置開発の経験
• TOEIC(R)テスト550点以上
• 中国語が堪能な方

給与

520 - 900 万円

勤務地

山梨