高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開

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募集要項

会社概要

同社は自動車、情報通信、エレクトロニクス、電線・機材・エネルギー、産業素材の5つの分野がそれぞれグローバルな事業活動を展開しております。

業務内容

高周波用途の化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術の開発及び量産展開
業務詳細：

• 高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの設計
• 高周波GaN HEMT用エピタキシャル成長技術開発
• 生産技術開発及び生産への展開

応募条件

必須条件：

• 各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験
• プロセス装置の選定/導入/立上げ経験
• 関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有
• TOEIC 500点以上または同等の英会話能力を保有

歓迎条件(以下のいずれかの経験をお持ちの方を歓迎します)：

• 高周波化合物半導体エピタキシャルウェハの知識
• GaN HEMT用エピ成長技術開発の経験
• エピウェハの生産技術開発及び生産への展開経験

給与

520 - 900 万円

勤務地

神奈川