CMOSイメージセンサの画素開発リード

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募集要項

会社概要

同社は、CMOSイメージセンサー製品を開発しています。

業務内容

• CMOSイメージセンサ画素の開発、設計に携わって頂きます。
• 画素開発フローにおいて、仕様の検討、設計と特性解析、評価解析、および進捗管理などプロジェクトに対する対応だけでなく、新しい方式の画素の開発にも参画していただきます。

応募条件

必須条件：

• イメージセンサ研究開発の経験5年以上
• TCAD（プロセスシミュレーターやデバイスシミュレーター）やCADレイアウトツールを使った画素の構造設計や特性解析の経験3年以上
• 業務指示、技術議論等ができるレベルの日本語および英語でのコミュニケーション能力

歓迎条件：

• 画素開発プロジェクトの開発リードもしくはサブリードの経験
• 半導体デバイス物理の基礎知識およびプロセス設計の経験
• イメージセンサ画素の光学設計および解析の経験

給与

700 - 1100 万円

勤務地

東京