Memory Evaluation Engineer (New Memory Development)

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募集要項

会社概要

同社は、世界有数のフラッシュメモリ専業メーカーです。発明したフラッシュメモリは、電源が切れてもデータが消えない不揮発性半導体メモリであり、大容量のデータ保存が可能です。スマートフォンでの写真や動画保存、電子機器やデータセンターなどで広く利用されています。IoT、AI、5Gの普及により増加するデータに対応するため、大容量・高性能のストレージと高速データ処理システムが不可欠です。同社はフラッシュメモリとSSDのリーディングカンパニーとして、新たな価値を提供する製品やサービスを展開しています。多様な専門性を持つエンジニアが次世代の記録技術を追求し、企業や組織と協力したオープンイノベーションも推進しています。世界最大級のフラッシュメモリ工場を持ち、AIを活用したスマートファクトリーで高い生産力と効率を実現し、増加するメモリ需要に応えています。

業務内容

新規メモリ開発におけるメモリ評価
業務内容：

• 新規メモリ開発におけるメモリアレイ評価
• 新規メモリ開発における回路評価
• 新規メモリ開発における高速インターフェース評価
• 新規メモリのウエハテストプログラム作成、パッケージテストプログラム作成
• 新規メモリのウエハテストやパッケージテストにおける不良解析

応募条件

必須要件:

• 下記いずれかのご経験をお持ちの方
  • メモリ開発における評価経験（メモリ素子動作及び回路動作を熟知している事）をお持ちのかた
  • メモリ開発における不良解析経験をお持ちの方
• 大学、大学院卒

歓迎要件:

• メモリ回路設計経験をお持ちの方
• 語学力（英語、中国語）をお持ちの方
• 海外業務が可能な方

給与

500 - 1160 万円

勤務地

神奈川