【茨城・群馬・愛媛】SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア～年休125日～＃53044

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募集要項

会社概要

同社は、日本の半導体メーカーであり、マイコンやシステムLSIなどの製品を提供しています。組み込みシステムや自動車関連、産業機器、ホームエレクトロニクスなど、幅広い分野でのアプリケーションに使用されています。特に自動車分野では、車載マイコンやドライバー支援システム、車載ネットワークなどの技術を提供し、先進的な車両エレクトロニクスの開発に貢献しています。また、エネルギー効率の向上や環境負荷の軽減を目指した製品も展開しており、持続可能な社会の実現にも取り組んでいます。

業務内容

■職務内容：
【変更の範囲：会社の定める業務】
自社前工程国内拠点において、以下の業務に携わって頂きます。

• SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ
• プロセス条件出し～量産化

■働き方：
年間休日は125日程度ありコアタイムのないフレックス制度など、ライフスタイルに合わせた働き方ができます。
また年次有給休暇、在宅勤務制度等の日常生活のサポートに加え、将来の備えとしての資産形成を補助する、財形貯蓄、持ち株会制度も整っています。
 

応募条件

■必須条件：

• SiCエピタキシャル成長プロセス開発のご経験1年以上（SiCが望ましいが、材料違いでも可）
• ビジネスレベルの英語力及び日本語力

■歓迎条件：

• 4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること

給与

800 - 900 万円

勤務地

その他