パワー半導体デバイスの設計開発

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募集要項

会社概要

同社は、パワー半導体の研究開発を行っています。

業務内容

高効率なエコデバイスの実現のため、ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。

応募条件

必須条件：パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下いずれかの経験がある方

パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験

ファウウンドリーでのデバイス試作経験

デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験

パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験

語学：

• 英語：中級
• 中国語（北京語）：中級
• 中国語（広東語）：中級

給与

500 - 1000 万円

勤務地

関西