【京都／転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価

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募集要項

会社概要

同社は、パワー半導体の研究開発を行っています。

業務内容

～業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業／電気自動車（EV）や再生可能エネルギーの普及によって需要が高まっている「パワー半導体」を扱っております～
業務内容：

• 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。

応募条件

■必須条件：パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下いずれかの経験がある方

• パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験
• ファウウンドリーでのデバイス試作経験
• デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
• パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験

給与

500 - 1000 万円

勤務地

関西