求人番号:Job-00243217 掲載日:2024-03-13

デバイス開発エンジニア

トップシェア半導体メーカー
600 - 850 万円 その他 製造(電子 / 電気 / 機械) 生産技術

募集要項

会社概要
同社は半導体メーカーです。
業務内容
  • パワーデバイス・プロセス開発
  • 構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
  • デバイス構造設計や300mmウエハプロセスフロー構築
  • 要素プロセス技術(ウエハプロセス)、製品設計、品質保証など多部門との連携

応募条件
  • 半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
  • 200mmまたは300mmウェハプロセス開発経験 3年以上
歓迎条件:
  • パワーデバイス(パワーMOS)開発経験 2年以上
  • TCADシミュレーションスキル
  • TEGレイアウトスキル
  • デバイス電気特性評価スキル
給与
600 - 850 万円
勤務地
その他
Misato Aiba
BRSコンサルタント
Misato Aiba
Electronics
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